Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
В 2-х частях

1977, изд-во: Издательство "Наука". Сибирское отделение, город: Новосибирск, стр. : 328 с. + 360 с., обложка: Твердый издательский переплет, формат: Энциклопедический, чуть зауженный, состояние: Очень хорошее (незначительные потертости краев корешков). Часть 1. Сборник представляет первую из двух книг материалов IV Всесоюзного симпозиума по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Рассматриваются общие закономерности роста и распределения примесей при кристаллизации кристаллов и пленок из газовой фазы, из расплава и раствора в расплаве; химическое состояние примесей; новые методы исследования неоднородностей в кристаллах и пленках. Книга представляет интерес для специалистов в области синтеза и выращивания полупроводников, а также технологии полупроводниковых приборов микроэлектроники. Часть 2. Книга содержит материалы исследований 1973 - 1975 гг. ведущих научных организаций СССР по проблеме получения полупроводниковых кристаллов и пленок. Основное внимание уделяется новым результатам по теории роста, вакуумным методам получения полупроводниковых пленок, механизму роста и дефектам эпитаксиальных слоев, методам исследования неоднородностей в кристаллах и пленках полупроводников. Приведены новые данные о получении сверхструктур, методах синтеза пленок ионно-плазменным испарением, механизмах роста твердых растворов. Книга рассчитана на научных сотрудников и инженерно-технических работников, студентов и аспирантов, специализирующихся на полупроводниковом материаловедении и микроэлектронике