1981, изд-во: Наука, город: Москва, стр. : 368 с., обложка: Издательский твердый переплет, формат: Обычный, состояние: Очень хорошее. В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных дефектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. Особое внимание уделяется процессам возникновения дефектов при сравнительно небольших энергиях воздействующей радиации. Приводится обзор современных данных о диффузно-контролируемых реакциях в полупроводниках. Показано, что эти данные могут быть согласованы благодаря единому подходу к процессам возникновения и миграции дефектов в полупроводниках.
Цена: 300 руб.
#15619414, код: кра42778
